DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 7.6 A 1.16 W, 8-Pin SOIC

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

395,00 €

(ohne MwSt.)

470,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2.500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +0,158 €395,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
169-7464
Herst. Teile-Nr.:
DMN2041LSD-13
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

41mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

150°C

Durchlassspannung Vf

0.7V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.2nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.16W

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Höhe

1.5mm

Länge

4.95mm

Normen/Zulassungen

MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020, UL 94V-0

Breite

3.95 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


Verwandte Links