DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 4.4 A 2.14 W, 8-Pin SOIC

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

892,50 €

(ohne MwSt.)

1.062,50 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 16. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +0,357 €892,50 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
169-7465
Herst. Teile-Nr.:
DMN6066SSD-13
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

97mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.4nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.14W

Betriebstemperatur min.

150°C

Durchlassspannung Vf

0.89V

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Länge

5mm

Breite

4 mm

Höhe

1.5mm

Normen/Zulassungen

MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


Verwandte Links