Infineon BSC050N04LS G N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 85 A 57 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 170-2275
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC050N04LSGATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 170-2275
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC050N04LSGATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 85A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | BSC050N04LS G | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 870mV | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 57W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 5.49mm | |
| Breite | 6.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 85A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie BSC050N04LS G | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 870mV | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 57W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 5.49mm | ||
Breite 6.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon BSC050N04LS G OptiMOS 40V ist die perfekte Wahl für die synchrone Gleichrichtung in Switched Mode Netzteilen (SMPS), wie sie in Servern und Desktops zu finden sind. Darüber hinaus können diese Geräte für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen einschließlich Motorsteuerung und schnellschaltender DC/DC-Wandler verwendet werden.
Höchste Systemeffizienz
Weniger Parallelschaltung erforderlich
Erhöhte Leistungsdichte
Senkung der Systemkosten