MagnaChip N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 13 A 41 W, 3-Pin TO-220F
- RS Best.-Nr.:
- 170-3021
- Herst. Teile-Nr.:
- MDF13N50BTH
- Marke:
- MagnaChip
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
39,40 €
(ohne MwSt.)
46,90 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 0,788 € | 39,40 € |
| 250 - 950 | 0,669 € | 33,45 € |
| 1000 - 2450 | 0,591 € | 29,55 € |
| 2500 + | 0,547 € | 27,35 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 170-3021
- Herst. Teile-Nr.:
- MDF13N50BTH
- Marke:
- MagnaChip
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | MagnaChip | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 13 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 500 V | |
| Gehäusegröße | TO-220F | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 500 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Verlustleistung max. | 41 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Länge | 10.71mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 37 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.93mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.4V | |
| Höhe | 16.13mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke MagnaChip | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 13 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 500 V | ||
Gehäusegröße TO-220F | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 500 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Verlustleistung max. 41 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Länge 10.71mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 37 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.93mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.4V | ||
Höhe 16.13mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN
Hochspannungs-MOSFET (HV)
Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET (HV) MOSFET, mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltleistung.
MOSFET-Transistoren, MagnaChip