MagnaChip MMF60R750PTH N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5,7 A 27,1 W, 3-Pin TO-220F

RS Best.-Nr.:: 170-3043
Herst. Teile-Nr.:: MMF60R750PTH
Marke:: MagnaChip

MagnaChip MMF60R750PTH N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5,7 A 27,1 W, 3-Pin TO-220F

Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.

Im Warenkorb

Preis pro Stück (In einer Stange von 50)

0,475 €

(ohne MwSt.)

0,565 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 +	0,475 €	23,75 €
*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 170-3043
Herst. Teile-Nr.:: MMF60R750PTH
Marke:: MagnaChip

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

Super Junction-MOSFET (SJ)

Diese MOSFETs verwenden die Super Junction-Technologie von MagnaChip, um Widerstand und Gate-Ladung gering zu halten. Sie sind sehr wirksam durch den Einsatz optimierter Ladungskopplungstechnologie.

Geringe elektromagnetische Störungen
Geringer Leistungsverlust durch Hochgeschwindigkeitsschaltung und geringen Widerstand

MOSFET-Transistoren, MagnaChip

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	5,7 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-220F
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	750 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Verlustleistung max.	27,1 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4.93mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	14 nC @ 10 V
Länge	10.71mm
Höhe	16.13mm
Diodendurchschlagsspannung	1.4V
Betriebstemperatur min.	–55 °C

RS Best.-Nr.:: 170-3043
Herst. Teile-Nr.:: MMF60R750PTH
Marke:: MagnaChip

MagnaChip MMF60R750PTH N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5,7 A 27,1 W, 3-Pin TO-220F

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Super Junction-MOSFET (SJ)

Technische Daten

Super Junction-MOSFET (SJ)

Verwandte Produkte