Vishay SQ Rugged N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A 33 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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RS Best.-Nr.:
170-8306
Herst. Teile-Nr.:
SQS462EN-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

SQ Rugged

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

135mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8nC

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Maximale Verlustleistung Pd

33W

Durchlassspannung Vf

820mV

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

3.4mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.12mm

Länge

3.4mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal MOSFET, Serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor


Die MOSFETs der Serie SQ von Vishay Semiconductor wurden für alle Kfz Anwendungen entwickelt, die Robustheit und hohe Zuverlässigkeit erfordern.

Vorteile von MOSFETs der Serie SQ Rugged


• AEC-Q101-qualifiziert

• Anschlusstemperatur: bis zu +175 °C

• N- und P-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand

• Innovative platzsparende Gehäuseoptionen

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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