Infineon BSC040N08NS5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 104 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
171-1969P
Herst. Teile-Nr.:
BSC040N08NS5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

BSC040N08NS5

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.88V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

43nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.35mm

Länge

5.49mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon BSC040N08NS5 OptiMOS 5 80 V Leistungs-MOSFET, speziell entwickelt für synchrone Gleichrichtung für Telekommunikations- und Servernetzteile. Darüber hinaus kann das Gerät auch in anderen industriellen Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantrieben und Adaptern eingesetzt werden.

Höchste Systemeffizienz

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Weniger Parallelschaltung erforderlich

Erhöhte Leistungsdichte

Niederspannungs-/Überschwingen

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