Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 93 A 78 W, 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 171-2377
- Herst. Teile-Nr.:
- TPH4R50ANH
- Marke:
- Toshiba
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- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 93A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 58nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 78W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 93A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 58nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 78W | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
DC/DC-WandlerSchaltspannungsreglerMotortreiberKleines, dünnes GehäuseHochgeschwindigkeitsschaltenGeringe Gate-Ladung: QSW = 22 nC (typ.)Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 3,7 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 100 V)Verbesserungsmodus: Vth = 2,0 bis 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 1,0 mA)