Toshiba TPH1R306PL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 170 W, 8-Pin TPH1R306PL,L1Q(M SOP

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RS Best.-Nr.:
206-9790
Herst. Teile-Nr.:
TPH1R306PL,L1Q(M
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

TPH1R306PL

Gehäusegröße

SOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.3Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

170W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

91nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6mm

Höhe

0.9mm

Automobilstandard

Nein

Der Toshiba Silizium-N-Kanal-MOSFET verfügt über Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften. Er wird hauptsächlich in hocheffizienten DC/DC-Wandlern, Schaltreglern und Motortreibern eingesetzt.

Niedriger Durchlasswiderstand der Quelle 1,0 m?

Lagertemperatur: -55 bis 175 °C.

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