Toshiba TPH1R306PL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 170 W, 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 206-9790
- Herst. Teile-Nr.:
- TPH1R306PL,L1Q(M
- Marke:
- Toshiba
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- RS Best.-Nr.:
- 206-9790
- Herst. Teile-Nr.:
- TPH1R306PL,L1Q(M
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | TPH1R306PL | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 91nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie TPH1R306PL | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 91nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Toshiba Silizium-N-Kanal-MOSFET verfügt über Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften. Er wird hauptsächlich in hocheffizienten DC/DC-Wandlern, Schaltreglern und Motortreibern eingesetzt.
Niedriger Durchlasswiderstand der Quelle 1,0 m?
Lagertemperatur: -55 bis 175 °C.