Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 65 A 30 W, 8-Pin TSON

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RS Best.-Nr.:
171-2206
Herst. Teile-Nr.:
TPN14006NH,L1Q(M
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

65A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

41mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

30W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.1 mm

Länge

3.1mm

Höhe

0.85mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

SchaltspannungsreglerMotortreiberDC/DC-WandlerHochgeschwindigkeitsschaltenGeringe Gate-Ladung: QSW = 5,5 nC (typ.)Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 11 Ω (typ.)Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 60 V)Verbesserungsmodus: Vth = 2,0 bis 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 0,2 mA)

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