Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 92 A 86 W, 8-Pin TSON

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171-2363
Herst. Teile-Nr.:
TPN3R704PL
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

92A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

86W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

3.1mm

Breite

3.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.85mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Hocheffiziente DC/DC-WandlerSchaltspannungsreglerMotortreiberHochgeschwindigkeitsschaltenGeringe Gate-Ladung: QSW = 8,1 nC (typ.)Geringe Ausgangsladung: Qoss = 20,2 nC (typ.)Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 3,0 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 40 V)Anreicherungstyp: Vth = 1,4 bis 2,4 V (VDS = 10 V, ID = 0,2 mA)

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