Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 306 A 214 W, 8-Pin TSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-0679
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC012N06NSATMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 306A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 214W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 306A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 214W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 60 V Drain-Source-Spannung, 306 A kontinuierlicher Drain-Strom – BSC012N06NSATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Verbesserungstransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsumwandlungs- und Schaltanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für anspruchsvolle Umgebungen und unterstützt Gate-Drive-Spannungen bis zum angegebenen Grenzwert. Das Gerät wird in einem kompakten TSON-Gehäuse für die Low-Profile-Leiterplattenmontage geliefert und erfüllt RoHS-Umweltbeschränkungen.
Merkmale und Vorteile:
• Niedriger Einschaltwiderstand reduziert Leitungsverluste für hocheffiziente Designs
• Hoher Dauerstrom ermöglicht kompakte Hochleistungsbaugruppen
• Erhebliche Verlustleistung unterstützt anhaltende thermische Lasten
• Breiter Betriebstemperaturbereich gewährleistet Leistung unter rauen Bedingungen
• Gate-Toleranz ermöglicht robuste Gate-Drive-Implementierungen für Schaltkreise
• Hoher Dauerstrom ermöglicht kompakte Hochleistungsbaugruppen
• Erhebliche Verlustleistung unterstützt anhaltende thermische Lasten
• Breiter Betriebstemperaturbereich gewährleistet Leistung unter rauen Bedingungen
• Gate-Toleranz ermöglicht robuste Gate-Drive-Implementierungen für Schaltkreise
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler in Stromversorgungen
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Leistungsmanagementstufen
• Wird mit Wechselrichtern für Motorantriebe verwendet, die Oberflächenmontage-Lösungen erfordern
• Kann für Server- und Telekommunikations-Stromverteilungsmodule verwendet werden
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Leistungsmanagementstufen
• Wird mit Wechselrichtern für Motorantriebe verwendet, die Oberflächenmontage-Lösungen erfordern
• Kann für Server- und Telekommunikations-Stromverteilungsmodule verwendet werden
Welche Befestigungsmethode wird für eine zuverlässige Leiterplatten-Verbindung empfohlen?
Das Gerät wird als oberflächenmontierbare Komponente in einem TSON-Gehäuse geliefert, das für das Löten an Leiterplattenpads für die Low-Profile-Montage konzipiert ist.
Wie wirkt sich die Gate-Nennspannung auf die Treiberauswahl aus?
Die maximale Gate-to-Source-Spannung beträgt 20 V, sodass die Treiber diesen Schwellenwert nicht überschreiten sollten, um Gate-Schäden zu vermeiden.
Welche thermischen Grenzwerte sollten für den Dauerbetrieb berücksichtigt werden?
Das Teil kann bis zu 214 W ableiten
muss das Wärmemanagement sicherstellen, dass die Sperrschichttemperaturen innerhalb des zulässigen Betriebsbereichs bleiben.
Ist das Gerät für die Qualifizierung im Automobilbereich geeignet?
Die Komponente entspricht nicht den Automobilstandards und sollte entsprechend bewertet werden.
Welche Bedeutung hat die Vorwärtsdiodecharakteristik für synchrone Konstruktionen?
Die intrinsische Diode weist eine Durchlassspannung von 1,2 V auf, was das Leitungs- und Erholungsverhalten in Gleichrichterkreisen beeinflusst.
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