Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 460 A 273 W, 12-Pin PG-TSON-12

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RS Best.-Nr.:
762-984
Herst. Teile-Nr.:
IQFH68N06NM5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

460A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PG-TSON-12

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

12

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.68mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

168nC

Maximale Verlustleistung Pd

273W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

8mm

Breite

6mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der OptiMOS 5Power-Transistor von Infineon mit 60 V ist für Niederspannungsantriebe, batteriebetriebene und synchrone Gleichrichteranwendungen optimiert. Vollqualifiziert nach JEDEC für industrielle Anwendungen.

100 % Avalanche-getestet

Ausgezeichnete Temperaturbeständigkeit

N-Kanal

Pb-freie Leiterbeschichtung, RoHS-konform

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