Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 510 A 300 W, 12-Pin PG-TSON-12

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RS Best.-Nr.:
762-983
Herst. Teile-Nr.:
IQFH61N06NM5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

510A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PG-TSON-12

Serie

OptiMOS

Montageart

SMD

Pinanzahl

12

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.61mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

190nC

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

8mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der OptiMOS 5Power-Transistor von Infineon mit 60 V ist für Niederspannungsantriebe, batteriebetriebene und synchrone Gleichrichteranwendungen optimiert. Vollqualifiziert nach JEDEC für industrielle Anwendungen.

100 % Avalanche-getestet

Ausgezeichnete Temperaturbeständigkeit

N-Kanal

Pb-freie Leiterbeschichtung, RoHS-konform

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