Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 339 A 214 W, 12-Pin PG-TSON-12

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

3,62 €

(ohne MwSt.)

4,31 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
1 - 93,62 €
10 - 492,94 €
50 - 992,24 €
100 +1,80 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
762-986
Herst. Teile-Nr.:
IQFH99N06NM5ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

339A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PG-TSON-12

Serie

OptiMOS

Montageart

SMD

Pinanzahl

12

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.99mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

115nC

Maximale Verlustleistung Pd

214W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.1mm

Länge

8mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der OptiMOS 5Power-Transistor von Infineon mit 60 V ist für Niederspannungsantriebe, batteriebetriebene und synchrone Gleichrichteranwendungen optimiert. Vollqualifiziert nach JEDEC für industrielle Anwendungen.

100 % Avalanche-getestet

Ausgezeichnete Temperaturbeständigkeit

N-Kanal

Pb-freie Leiterbeschichtung, RoHS-konform

Verwandte Links