Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 306 A 214 W, 8-Pin TSON

RS Best.-Nr.:: 258-0678
Herst. Teile-Nr.:: BSC012N06NSATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 306 A 214 W, 8-Pin TSON

Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*

9.540,00 €

(ohne MwSt.)

11.355,00 €

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 21. Oktober 2027

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
5000 +	1,908 €	9.540,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 258-0678
Herst. Teile-Nr.:: BSC012N06NSATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	306A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TSON
	Serie	OptiMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.20mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Verlustleistung Pd	214W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	+175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 306A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TSON
	Serie OptiMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.20mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Verlustleistung Pd 214W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur +175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSC012N06NSATMA1

MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 60 V Drain-Source-Spannung, 306 A kontinuierlicher Drain-Strom – BSC012N06NSATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Verbesserungstransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsumwandlungs- und Schaltanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für anspruchsvolle Umgebungen und unterstützt Gate-Drive-Spannungen bis zum angegebenen Grenzwert. Das Gerät wird in einem kompakten TSON-Gehäuse für die Low-Profile-Leiterplattenmontage geliefert und erfüllt RoHS-Umweltbeschränkungen.

Merkmale und Vorteile:

• Niedriger Einschaltwiderstand reduziert Leitungsverluste für hocheffiziente Designs
• Hoher Dauerstrom ermöglicht kompakte Hochleistungsbaugruppen
• Erhebliche Verlustleistung unterstützt anhaltende thermische Lasten
• Breiter Betriebstemperaturbereich gewährleistet Leistung unter rauen Bedingungen
• Gate-Toleranz ermöglicht robuste Gate-Drive-Implementierungen für Schaltkreise

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler in Stromversorgungen
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Leistungsmanagementstufen
• Wird mit Wechselrichtern für Motorantriebe verwendet, die Oberflächenmontage-Lösungen erfordern
• Kann für Server- und Telekommunikations-Stromverteilungsmodule verwendet werden

Welche Befestigungsmethode wird für eine zuverlässige Leiterplatten-Verbindung empfohlen?

Das Gerät wird als oberflächenmontierbare Komponente in einem TSON-Gehäuse geliefert, das für das Löten an Leiterplattenpads für die Low-Profile-Montage konzipiert ist.

Wie wirkt sich die Gate-Nennspannung auf die Treiberauswahl aus?

Die maximale Gate-to-Source-Spannung beträgt 20 V, sodass die Treiber diesen Schwellenwert nicht überschreiten sollten, um Gate-Schäden zu vermeiden.

Welche thermischen Grenzwerte sollten für den Dauerbetrieb berücksichtigt werden?

Das Teil kann bis zu 214 W ableiten

muss das Wärmemanagement sicherstellen, dass die Sperrschichttemperaturen innerhalb des zulässigen Betriebsbereichs bleiben.

Ist das Gerät für die Qualifizierung im Automobilbereich geeignet?

Die Komponente entspricht nicht den Automobilstandards und sollte entsprechend bewertet werden.

Welche Bedeutung hat die Vorwärtsdiodecharakteristik für synchrone Konstruktionen?

Die intrinsische Diode weist eine Durchlassspannung von 1,2 V auf, was das Leitungs- und Erholungsverhalten in Gleichrichterkreisen beeinflusst.