Toshiba U-MOSVIII-H TPN11003NL,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 31 A 19 W, 8-Pin TSON
- RS Best.-Nr.:
- 133-2811
- Herst. Teile-Nr.:
- TPN11003NL,LQ(S
- Marke:
- Toshiba
220 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 20)
0,269 €
(ohne MwSt.)
0,32 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,269 € | 5,38 € |
| 100 - 180 | 0,228 € | 4,56 € |
| 200 - 980 | 0,211 € | 4,22 € |
| 1000 - 1980 | 0,204 € | 4,08 € |
| 2000 + | 0,197 € | 3,94 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 133-2811
- Herst. Teile-Nr.:
- TPN11003NL,LQ(S
- Marke:
- Toshiba
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 31 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| Gehäusegröße | TSON |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 16 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.3V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.3V |
| Verlustleistung max. | 19 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 3.1mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 7,5 nC bei 10 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 3.1mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Höhe | 0.85mm |
Verwandte Produkte
- Toshiba U-MOSVIII-H TPN30008NH,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 22...
- Toshiba U-MOSVIII-H TPH11003NL,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 32...
- Toshiba U-MOSVIII-H TPH8R903NL,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 38...
- Toshiba U-MOSVIII-H TPH11006NL,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 40...
- Toshiba U-MOSVIII-H TK72E08N1,S1X(S N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 157...
- Toshiba U-MOSVIII-H TK100E06N1,S1X(S N-Kanal, THT MOSFET 60 V /...
- Toshiba U-MOSVIII-H TK15S04N1L,LQ(O N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15...
- Toshiba TPN1600ANH N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 42 W, 8-Pin TSON