Toshiba Einfach U-MOSVIII-H N-Kanal 1, SMD MOSFET 30 V Erweiterung / 31 A 19 W, 8-Pin TSON
- RS Best.-Nr.:
- 133-2811
- Herst. Teile-Nr.:
- TPN11003NL,LQ(S
- Marke:
- Toshiba
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- RS Best.-Nr.:
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- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSON | |
| Serie | U-MOSVIII-H | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 16mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 19W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.1mm | |
| Länge | 3.1mm | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSON | ||
Serie U-MOSVIII-H | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 16mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 19W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.1mm | ||
Länge 3.1mm | ||
Höhe 0.85mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- JP