Toshiba U-MOSVIII-H TPH11006NL,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 40 A 34 W, 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 133-2809
- Herst. Teile-Nr.:
- TPH11006NL,LQ(S
- Marke:
- Toshiba
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- Herst. Teile-Nr.:
- TPH11006NL,LQ(S
- Marke:
- Toshiba
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 40 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| Gehäusegröße | SOP |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 17 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.5V |
| Verlustleistung max. | 34 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Länge | 5mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Breite | 5mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Höhe | 0.95mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
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