Toshiba U-MOSVIII-H Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 32 A 21 W, 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 133-2808
- Herst. Teile-Nr.:
- TPH11003NL,LQ(S
- Marke:
- Toshiba
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- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 32A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Serie | U-MOSVIII-H | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 16mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 21W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5 mm | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 32A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Serie U-MOSVIII-H | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 16mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 21W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.95mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5 mm | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- JP
MOSFET-Transistoren, Toshiba
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