Toshiba U-MOSVIII-H Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 15 A 46 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 133-2798
- Herst. Teile-Nr.:
- TK15S04N1L,LQ(O
- Marke:
- Toshiba
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 0,742 € | 3,71 € |
| 25 - 45 | 0,63 € | 3,15 € |
| 50 - 245 | 0,61 € | 3,05 € |
| 250 - 495 | 0,59 € | 2,95 € |
| 500 + | 0,57 € | 2,85 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 133-2798
- Herst. Teile-Nr.:
- TK15S04N1L,LQ(O
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | U-MOSVIII-H | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 37mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 46W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie U-MOSVIII-H | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 37mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 46W | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- JP
MOSFET-Transistoren, Toshiba
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