Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 340 A 170 W, 8-Pin SOP

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RS Best.-Nr.:
171-2205
Herst. Teile-Nr.:
TPHR8504PL
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

340A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

170W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

103nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

0.95mm

Breite

5 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Hocheffiziente DC/DC-Wandler

Schaltspannungsregler

Motortreiber

Hochgeschwindigkeitsschalten

Geringe Gate-Ladung: QSW = 23 nC (typ.)

Geringe Ausgangsladung: Qoss = 85,4 nC (typ.)

Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 0,7 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 40 V)

Verbesserungsmodus: Vth = 1,4 bis 2,4 V (VDS = 10 V, ID = 1,0 mA)

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