Toshiba TPHR8504PL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 150 A 170 W, 8-Pin TPHR8504PL,L1Q(M SOP

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Herst. Teile-Nr.:
TPHR8504PL,L1Q(M
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

150A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SOP

Serie

TPHR8504PL

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.4Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

170W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

103nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5 mm

Länge

6mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.9mm

Automobilstandard

Nein

Der Toshiba Silizium-N-Kanal-MOSFET verfügt über Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften. Er wird hauptsächlich in hocheffizienten DC/DC-Wandlern, Schaltreglern und Motortreibern eingesetzt.

Niedriger Durchlasswiderstand der Drain-Quelle 0,7 m?

Lagertemperatur: -55 bis 175 °C.

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