- RS Best.-Nr.:
- 171-2523
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM6N7002KFU
- Marke:
- Toshiba
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
100 - 400 | 0,06 € | 6,00 € |
500 - 900 | 0,052 € | 5,20 € |
1000 + | 0,048 € | 4,80 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 171-2523
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM6N7002KFU
- Marke:
- Toshiba
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TH
Produktdetails
Hochgeschwindigkeitsschalten
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und QuelleRDS(ON) = 1,05 mΩ (typ.) (@ VGS = 10 V)RDS(ON) = 1,15 mΩ (typ.) (@ VGS = 5,0 V)RDS(ON) = 1,2 mΩ (typ.) (@ VGS = 4,5 V)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 300 mA |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | SOT-363 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 6 |
Drain-Source-Widerstand max. | 1,75 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.1V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1.1V |
Verlustleistung max. | 500 mW |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Breite | 1.25mm |
Länge | 2mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 0,39 nC @ 4,5 V |
Diodendurchschlagsspannung | 1.1V |
Automobilstandard | AEC-Q101 |
Höhe | 0.9mm |
- RS Best.-Nr.:
- 171-2523
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM6N7002KFU
- Marke:
- Toshiba
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