DiodesZetex Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 0.37 W, 6-Pin US

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RS Best.-Nr.:
246-6815
Herst. Teile-Nr.:
DMN61D9UDWQ-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

US

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.4V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.6nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

0.37W

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex ist ein zweifacher N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET, der die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen erfüllt. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SOT363-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad.

Die maximale Drain-Quellenspannung beträgt 60 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. Sie bietet eine ultrakleine Gehäusegröße. Sie hat eine niedrige Eingangs-/Ausgangsleckage

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