DiodesZetex Doppelt DMN3190LDWQ Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 1 A 0.4 W, 6-Pin US

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

231,00 €

(ohne MwSt.)

276,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 15.000 Einheit(en) mit Versand ab 12. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +0,077 €231,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
213-9185
Herst. Teile-Nr.:
DMN3190LDWQ-7
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

DMN3190LDWQ

Gehäusegröße

US

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.19Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.9nC

Maximale Verlustleistung Pd

0.4W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2.15mm

Höhe

0.95mm

Normen/Zulassungen

UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020

Breite

2.1 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

AEC-Q101

Der MOSFET der DiodesZetex DBN3190LDWQ-Serie wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen.

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Verwandte Links