DiodesZetex Doppelt DMC3401 Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 800 mA 0.4 W, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 206-0062
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC3401LDW-7
- Marke:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
171,00 €
(ohne MwSt.)
204,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 27. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,057 € | 171,00 € |
| 9000 - 21000 | 0,055 € | 165,00 € |
| 24000 - 42000 | 0,054 € | 162,00 € |
| 45000 + | 0,053 € | 159,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 206-0062
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC3401LDW-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 800mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | US | |
| Serie | DMC3401 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 700mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.4W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.3 mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.15mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q200, AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 800mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße US | ||
Serie DMC3401 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 700mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.4W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.3 mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.15mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q200, AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der komplementäre 30-V-MOSFET für DiodesZetex-MOSFET mit paarweisen Anreicherungstyp wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 0,29 W Wärmeverlustleistung.
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Verwandte Links
- DiodesZetex Doppelt DMC3401 Typ N Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 800 mA 0.4 W, 6-Pin US
- DiodesZetex Doppelt DMN3190LDWQ Typ N-Kanal 1 6-Pin US
- DiodesZetex Doppelt DMN3190LDWQ Typ N-Kanal 1 6-Pin US DMN3190LDWQ-7
- DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal 6-Pin US
- DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal 6-Pin US DMN3401LDWQ-7
- DiodesZetex Doppelt DMN3401 Typ N-Kanal 2 6-Pin US
- DiodesZetex Doppelt DMN3401 Typ N-Kanal 2 6-Pin US DMN3401LDW-7
- DiodesZetex Doppelt Typ P-Kanal 2 6-Pin US
