DiodesZetex Doppelt DMN3401 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 800 mA 0.35 W, 6-Pin US

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RS Best.-Nr.:
206-0084
Herst. Teile-Nr.:
DMN3401LDW-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

800mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

DMN3401

Gehäusegröße

US

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

700mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

0.35W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.5nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Höhe

0.95mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.3 mm

Länge

2.15mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Ursprungsland:
CN
Der zweifache N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex mit 30 V wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 0,29 W Wärmeverlustleistung.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

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