DiodesZetex Doppelt DMN3401 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 800 mA 0.35 W, 6-Pin US

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*

14,00 €

(ohne MwSt.)

16,50 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1.900 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
50 - 500,28 €14,00 €
100 - 2000,246 €12,30 €
250 - 4500,239 €11,95 €
500 - 9500,234 €11,70 €
1000 +0,227 €11,35 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
206-0085
Herst. Teile-Nr.:
DMN3401LDW-7
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

800mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

DMN3401

Gehäusegröße

US

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

700mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

0.35W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.3 mm

Höhe

0.95mm

Länge

2.15mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Ursprungsland:
CN
Der zweifache N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex mit 30 V wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 0,29 W Wärmeverlustleistung.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Verwandte Links