Taiwan Semiconductor N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 23 A 12,5 W, 8-Pin SOP

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RS Best.-Nr.:
171-3611
Herst. Teile-Nr.:
TSM120N06LCS RLG
Marke:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

23 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

SOP

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

15 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

12,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

19 nC @ 4,5 V, 37 nC @ 10 V

Breite

3.9mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

4.85mm

Diodendurchschlagsspannung

1V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1.55mm

Der Taiwan Semiconductor N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 30 V, 55 A, 8-polig verfügt über eine Einzeltransistorkonfiguration und einen Erweiterungskanalmodus. Er wird in der Regel in Anwendungen wie Motorsteuerung für BLDC und Batterie Power Management eingesetzt.

Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten
Logikpegel
Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten
100 % UIS- und Rg-geprüft
Konform mit RoHS-Richtlinie 2011/65/EU und gemäß WEEE 2002/96/EG
Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21
Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C.
40 W max. Verlustleistung
Gate-Schwellenspannungsbereiche zwischen 1,2 V und 2,5 V