Taiwan Semiconductor N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 1 A 39 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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RS Best.-Nr.:
171-3613
Herst. Teile-Nr.:
TSM1NB60CH C5G
Marke:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

1 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

IPAK (TO-251)

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

10 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

39 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Breite

2.3mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

6.6mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

6,1 nC bei 10 V

Diodendurchschlagsspannung

1.4V

Höhe

6.1mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Der Taiwan Semiconductor 600 V, 1 A, 10 Ω, 3-polige N-Kanal-Leistungs-MOSFET verfügt über eine Einzeltransistorkonfiguration und einen Erweiterungskanalmodus. Er wird in der Regel in Versorgungs-, Beleuchtungs- und Ladeanwendungen verwendet.

Advanced Planar Process
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Niedriger RDS(ON) 8 Ω (typ.)
Niedrige Gate-Ladung typisch @ 6,1 nC (typ.)
Niedrige Crss typisch @ 4,2 pF (typ.)
Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C.
39 W max. Verlustleistung
Gate-Schwellenspannungsbereiche zwischen 2,5 V und 4,5 V