Taiwan Semiconductor N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 3 A 94 W, 3-Pin TO-251

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RS Best.-Nr.:
171-3620
Herst. Teile-Nr.:
TSM3N80CH C5G
Marke:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

3 A

Drain-Source-Spannung max.

800 V

Gehäusegröße

TO-251

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4.2 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

94 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Länge

6.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

19 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

2.3mm

Diodendurchschlagsspannung

1.5V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

7mm

Taiwan Semiconductor 800 V, 3 A, 4. Der 3-Ω-, 3-polige N-Kanal-Leistungs-MOSFET verfügt über eine einfache Transistorkonfiguration und einen Erweiterungskanalmodus. Er wird in der Regel in Stromversorgungs- und Beleuchtungsanwendungen eingesetzt.

Niedriger RDS(ON) 3,3 Ω (typ.)
Niedrige Gate-Ladung typisch bei 19 nC (typ.)
Niedrige Crss typisch @ 10,2 pF (typ.)
Verbesserte dv/dt-Fähigkeit
Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C.
94 W max. Verlustleistung
Gate-Schwellenspannungsbereiche zwischen 2 V und 4 V.