Taiwan Semiconductor N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4 A 38,7 W, 3-Pin ITO-220

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
RS Best.-Nr.:
171-3625
Herst. Teile-Nr.:
TSM4N80CI C0G
Marke:
Taiwan Semiconductor
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Taiwan Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

4 A

Drain-Source-Spannung max.

800 V

Gehäusegröße

ITO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

3 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

38,7 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

4.6mm

Länge

10mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

20 nC @ 10 V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.5V

Höhe

15mm

Taiwan Semiconductor 800 V, 4 A, 3. Der 3-polige N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 0 Ω verfügt über eine einfache Transistorkonfiguration und einen Erweiterungskanalmodus. Er wird in der Regel in Stromversorgungs- und Beleuchtungsanwendungen eingesetzt.

Niedriger RDS(ON) 3 Ω (max.)
Niedrige Gate-Ladung typisch @ 20 nC (typ.)
Verbesserung der dV/dt-Fähigkeit
Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C.
38,7 W max. Verlustleistung
Gate-Schwellenspannungsbereiche zwischen 2 V und 4 V.