Taiwan Semiconductor N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 4 A 25 W, 3-Pin ITO-220

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RS Best.-Nr.:
171-3626
Herst. Teile-Nr.:
TSM4NB60CI C0G
Marke:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

4 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

ITO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

2,5 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

25 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

14,5 nC @ 10 V

Länge

6.5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

6.1mm

Höhe

2.28mm

Diodendurchschlagsspannung

1.13V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Taiwan Semiconductor 600 V, 4 A, 2. Der 5-Ω-, 3-polige N-Kanal-Leistungs-MOSFET verfügt über eine einfache Transistorkonfiguration und einen Erweiterungskanalmodus. Er wird in der Regel in Stromversorgungs- und Beleuchtungsanwendungen eingesetzt.

100 % Lawinenprüfung
Pb-frei Beschichtung
Konform mit RoHS-Richtlinie 2011/65/EU und gemäß WEE 2002/96/EG
Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21-Definition
Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C.
25 W max. Verlustleistung
Gate-Schwellenspannungsbereiche zwischen 2,5 V und 4,5 V