Taiwan Semiconductor N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 3,3 A 38 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
171-3628
Herst. Teile-Nr.:
TSM60NB1R4CP ROG
Marke:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

3,3 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1,4 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

38 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Breite

5.8mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

7,7 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

6.5mm

Diodendurchschlagsspannung

1.4V

Höhe

2.3mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Taiwan Semiconductor 600 V, 3 A, 1. Der 3-polige N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 4 Ω verfügt über eine einfache Transistorkonfiguration und einen Erweiterungskanalmodus. Er wird in der Regel in Stromversorgungs- und Beleuchtungsanwendungen eingesetzt.

Super-Junction-Technologie
Hohe Leistung durch kleine Gütezahl
Hohe Widerstandsfähigkeit
Hohe Kommutierungsleistung
100 % UIL-geprüft
Pb-frei Beschichtung
Konform mit RoHS-Richtlinie 2011/65/EU und in
Gemäß WEEE 2002/96/EG
Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21
Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C.
38 W max. Verlustleistung
Gate-Schwellenspannungsbereiche zwischen 2 V und 4 V.