Taiwan Semiconductor N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 13 A 32,1 W, 3-Pin ITO-220S

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RS Best.-Nr.:
171-3632
Herst. Teile-Nr.:
TSM60NB260CI C0G
Marke:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

13 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

ITO-220S

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

260 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

32,1 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

10mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

30 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.6mm

Höhe

15mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.4V

Taiwan Semiconductor 600 V, 13 A, 0. 26 Ω, 3-poliger N-Kanal-Leistungs-MOSFET verfügt über eine einfache Transistorkonfiguration und einen Erweiterungskanalmodus. Er wird in der Regel in Netzteil- und AC/DC-LED-Beleuchtungsanwendungen verwendet.

Super-Junction-Technologie
Hohe Leistung durch kleine Gütezahl
Hohe Widerstandsfähigkeit
Hohe Kommutierungsleistung
100 % UIL-geprüft
Pb-frei Beschichtung
Konform mit RoHS-Richtlinie 2011/65/EU und in
Gemäß WEEE 2002/96/EG
Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21
Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C.
32,1 W max. Verlustleistung
Gate-Schwellenspannungsbereiche zwischen 2 V und 4 V.