Taiwan Semiconductor N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 9 A 12,5 W, 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 171-3633
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM650N15CS RLG
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Nicht verfügbar
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- 171-3633
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM650N15CS RLG
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 9 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 150 V | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 80 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 12,5 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 4.85mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 3.9mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 24 nC @ 6 V, 37 nC @ 10 V | |
| Höhe | 1.55mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 9 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 150 V | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 80 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 12,5 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 4.85mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 3.9mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 24 nC @ 6 V, 37 nC @ 10 V | ||
Höhe 1.55mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||