Taiwan Semiconductor N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 7 A 250 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
171-3641
Herst. Teile-Nr.:
TSM7N90CZ C0G
Marke:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

7 A

Drain-Source-Spannung max.

900 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1,9 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

250 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

49 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

10mm

Breite

4.19mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

14.25mm

Diodendurchschlagsspannung

1.4V

Die Taiwan Semiconductor 900 V, 7 A, 1. 9 Ω, 3-poliger N-Kanal-Leistungs-MOSFET verfügt über eine einfache Transistorkonfiguration und einen Erweiterungskanalmodus. Er wird in der Regel in Stromversorgungs- und Beleuchtungsanwendungen eingesetzt.

Niedriger RDS(on) 1,9 Ω (max.)
Niedrige Gate-Ladung typisch bei 49 nC (typ.)
Verbesserung der dV/dt-Fähigkeit
Pb-frei Beschichtung
Konform mit RoHS-Richtlinie 2011/65/EU und gemäß WEE 2002/96/EG
Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21-Definition
Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C.
250 W max. Verlustleistung
Gate-Schwellenspannungsbereiche zwischen 2 V und 4 V.