Taiwan Semiconductor N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 8 A 32 W, 3-Pin ITO-220

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
171-3653
Herst. Teile-Nr.:
TSM70N600CI C0G
Marke:
Taiwan Semiconductor
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Taiwan Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

8 A

Drain-Source-Spannung max.

700 V

Gehäusegröße

ITO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

600 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

32 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Breite

4.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

12,6 nC @ 10 V

Höhe

15mm

Diodendurchschlagsspannung

1.4V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Der Taiwan Semiconductor N-Kanal-MOSFET ist ein 3-poliger Erweiterungskanalmodus mit Gate-Schwellenspannung von 4 V.

Super-Junction-Technologie
Hohe Leistung durch kleine Gütezahl
Hohe Widerstandsfähigkeit
Hohe Kommutierungsleistung