Taiwan Semiconductor N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 4,5 A 50 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
171-3661
Herst. Teile-Nr.:
TSM70N900CP ROG
Marke:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

4,5 A

Drain-Source-Spannung max.

700 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

900 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

50 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Länge

6.5mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

9,7 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

5.8mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

2.3mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.4V

Die Taiwan Semiconductor 700V, 4. 5 A, 900 mΩ, 3-poliger N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Einzeltransistorkonfiguration und Erweiterungskanalmodus. Er wird in der Regel in Stromversorgungs- und Beleuchtungsanwendungen eingesetzt.

Super-Junction-Technologie
Hohe Leistung durch kleine Gütezahl
Hohe Widerstandsfähigkeit
Hohe Kommutierungsleistung
Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C.
50 W max. Verlustleistung
Gate-Schwellenspannungsbereiche zwischen 2 V und 4 V.