Taiwan Semiconductor TSM120N06LCP ROG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 70 A 125 W, 3 + Tab-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 171-3671
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM120N06LCP ROG
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 171-3671
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM120N06LCP ROG
- Marke:
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 70 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 + Tab | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 15 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V | |
| Verlustleistung max. | 125 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 6.11mm | |
| Länge | 6.57mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 18 nC @ 4,5 V, 37 nC @ 10 V | |
| Höhe | 2.29mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 70 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 + Tab | ||
Drain-Source-Widerstand max. 15 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.2V | ||
Verlustleistung max. 125 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 6.11mm | ||
Länge 6.57mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 18 nC @ 4,5 V, 37 nC @ 10 V | ||
Höhe 2.29mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
