Taiwan Semiconductor TSM2303CX RFG P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,3 A 700 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 171-3693
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM2303CX RFG
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Zwischensumme (1 Packung mit 100 Stück)*
6,60 €
(ohne MwSt.)
7,90 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 100 + | 0,066 € | 6,60 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 171-3693
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM2303CX RFG
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,3 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 300 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 700 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 1.7mm | |
| Länge | 3.1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 10 nC @ 4,5 V | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 1,3 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 300 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 700 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 1.7mm | ||
Länge 3.1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 10 nC @ 4,5 V | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Höhe 1.2mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||