Taiwan Semiconductor N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 11 A 33 W, 3-Pin ITO-220

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
171-3699
Herst. Teile-Nr.:
TSM70N380CI C0G
Marke:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

11 A

Drain-Source-Spannung max.

700 V

Gehäusegröße

ITO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

380 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

33 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Länge

10mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

18,8 nC @ 10 V

Breite

4.7mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

15mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.4V

Der Taiwan Semiconductor N-Kanal-MOSFET ist ein 3-poliger Erweiterungskanalmodus mit Gate-Schwellenspannung von 4 V.

Super-Junction-Technologie
Hohe Leistung durch kleine Gütezahl
Hohe Widerstandsfähigkeit
Hohe Kommutierungsleistung