Taiwan Semiconductor TSM2328CX RFG N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,5 A 1,38 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 171-3705
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM2328CX RFG
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- Herst. Teile-Nr.:
- TSM2328CX RFG
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- Taiwan Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 250 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 1,38 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 11,1 nC @ 5 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 2.9mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 1.6mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 1,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 250 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 1,38 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 11,1 nC @ 5 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 2.9mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 1.6mm | ||
Höhe 1.1mm | ||