onsemi NTTFS4C02N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 29 A 4.2 W, 8-Pin WDFN

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RS Best.-Nr.:
171-8393
Herst. Teile-Nr.:
NTTFS4C02NTAG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

WDFN

Serie

NTTFS4C02N

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Verlustleistung Pd

4.2W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.75mm

Länge

3.15mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET, 30 V, 170 A, 2,25 mOhm, einfacher N-Kanal μ8FL

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von LeitungsverlustNiedrige Kapazität zur Minimierung von TreiberverlustOptimierte Gate-Ladung zur Minimierung von SchaltverlustenDiese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-freiAnwendungsbereichDC/DC-WandlerNetzlastschalterNotebook-Akku-Management

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