onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 83 A 104 W, 8-Pin FDMS86322 WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 759-9642
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS86322
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 2 Stück)*
4,33 €
(ohne MwSt.)
5,152 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 10. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,165 € | 4,33 € |
| 20 - 198 | 1,865 € | 3,73 € |
| 200 - 998 | 1,62 € | 3,24 € |
| 1000 - 1998 | 1,42 € | 2,84 € |
| 2000 + | 1,295 € | 2,59 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 759-9642
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS86322
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 83A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Breite | 6 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 83A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.05mm | ||
Breite 6 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin FDMS86101 WDFN
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin FDMS86300 WDFN
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin WDFN