onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 80 A 104 W, 8-Pin WDFN

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

2,71 €

(ohne MwSt.)

3,22 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lieferengpass
  • Zusätzlich 1.835 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Unsere Lagerkapazitäten sind begrenzt und die Zulieferer haben bereits Lieferengpässe angekündigt.
Stück
Pro Stück
1 - 292,71 €
30 - 1492,27 €
150 - 7492,17 €
750 - 14992,04 €
1500 +1,90 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
739-4848
Herst. Teile-Nr.:
FDMS86101
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

WDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

14mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

39nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.05mm

Länge

5.1mm

Breite

6.25 mm

Automobilstandard

Nein

PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links