ROHM RQ5H030TN N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 3 A 1 W, 3-Pin TSMT-3
- RS Best.-Nr.:
- 171-9735
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ5H030TNTL
- Marke:
- ROHM
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
777,00 €
(ohne MwSt.)
924,00 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,259 € | 777,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 171-9735
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ5H030TNTL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 3 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 45 V | |
| Gehäusegröße | TSMT-3 | |
| Serie | RQ5H030TN | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 95 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.5V | |
| Verlustleistung max. | 1 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±12 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 3mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 6,2 nC @ 4,5 V | |
| Breite | 1.8mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 3 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 45 V | ||
Gehäusegröße TSMT-3 | ||
Serie RQ5H030TN | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 95 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.5V | ||
Verlustleistung max. 1 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±12 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 3mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 6,2 nC @ 4,5 V | ||
Breite 1.8mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Der RQ5H030TN ist ein MOSFET mit G-S-Schutzdiode und niedrigem Betriebswiderstand, geeignet zum Schalten.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Integrierte G-S-Schutzdiode
Kleines SMD-Gehäuse (TSMT3)