ROHM RQ5H030TN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 45 V / 3 A 1 W, 3-Pin SC-96
- RS Best.-Nr.:
- 171-9735
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ5H030TNTL
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Serie | RQ5H030TN | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 45 V | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 3 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 1 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | SC-96 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | 1.2 V | |
| Höhe | 950 μm | |
| Länge | 3 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 95 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 12 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 6.2 nC | |
| Breite | 1.8 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Serie RQ5H030TN | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 45 V | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 3 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 1 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße SC-96 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) 1.2 V | ||
Höhe 950 μm | ||
Länge 3 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 95 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 12 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 6.2 nC | ||
Breite 1.8 mm | ||
RQ5H030TN is a MOSFET with G-S Protection Diode and low on-switching, suitable for switching.
Low on-resistance
Built-in G-S protection diode
Small surface mount package(TSMT3)