ROHM RD3G500GN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 50 A 35 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
172-0437
Herst. Teile-Nr.:
RD3G500GNTL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

RD3G500GN

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

31nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

35W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC JESD22-A114, JEDEC JESD22-C101, JEITA ED-4701/302

Länge

6.8mm

Breite

6.4 mm

Höhe

2.3mm

Automobilstandard

Nein

Der RD3G500GN ist ein MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand für Schaltanwendungen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Hochleistungsgehäuse (TO-252)

Bleifreie Leitungsbeschichtung

Halogenfrei

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