ROHM RD3G500GN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 50 A 35 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

1.197,50 €

(ohne MwSt.)

1.425,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 5.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +0,479 €1.197,50 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
172-0384
Herst. Teile-Nr.:
RD3G500GNTL
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

RD3G500GN

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

31nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

35W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.8mm

Höhe

2.3mm

Breite

6.4 mm

Normen/Zulassungen

JEDEC JESD22-A114, JEDEC JESD22-C101, JEITA ED-4701/302

Automobilstandard

Nein

Der RD3G500GN ist ein MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand für Schaltanwendungen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Hochleistungsgehäuse (TO-252)

Bleifreie Leitungsbeschichtung

Halogenfrei

Verwandte Links