ROHM RD3P200SN RD3P200SNTL N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 20 A 20 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 172-0472
Herst. Teile-Nr.:: RD3P200SNTL
Marke:: ROHM

ROHM RD3P200SN RD3P200SNTL N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 20 A 20 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Voraussichtlich ab 10.12.2024 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 10)

0,941 €

(ohne MwSt.)

1,12 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 240	0,941 €	9,41 €
250 - 740	0,825 €	8,25 €
750 - 1190	0,805 €	8,05 €
1200 - 1990	0,783 €	7,83 €
2000 +	0,764 €	7,64 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 172-0472
Herst. Teile-Nr.:: RD3P200SNTL
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Produktdetails

Der RD3P200SN ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand, für Schaltanwendungen geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Parallele Nutzung ist einfach
Pb-frei Beschichtung

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	20 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	RD3P200SN
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	50 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	20 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	55 nC @ 10 V
Breite	6.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	6.8mm
Höhe	2.3mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.5V

ROHM RD3P200SN RD3P200SNTL N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 20 A 20 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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