ROHM RD3P200SN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 20 A 20 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
172-0472
Herst. Teile-Nr.:
RD3P200SNTL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

RD3P200SN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

50mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

20W

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.4 mm

Länge

6.8mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.3mm

Automobilstandard

Nein

Der RD3P200SN ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand, für Schaltanwendungen geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Einfache Antriebskreise möglich

Parallele Nutzung ist einfach

Pb-frei Beschichtung

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