ROHM RD3P200SN N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 20 A 20 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 172-0472
Herst. Teile-Nr.:: RD3P200SNTL
Marke:: ROHM

ROHM RD3P200SN N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 20 A 20 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Stück	Pro Stück	Pro Packung**
10 - 240	0,941 €	9,41 €
250 - 740	0,825 €	8,25 €
750 - 1190	0,805 €	8,05 €
1200 - 1990	0,783 €	7,83 €
2000 +	0,764 €	7,64 €

**Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 172-0472
Herst. Teile-Nr.:: RD3P200SNTL
Marke:: ROHM

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	20 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	RD3P200SN
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	50 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	20 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	55 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	6.8mm
Breite	6.4mm
Diodendurchschlagsspannung	1.5V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	2.3mm

ROHM RD3P200SN N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 20 A 20 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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